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从晶圆到颗粒 东芝教你造闪存

来源:其他网络 时间:2013-11-17 10:50 我要投稿

走进东芝存储位于日本四日市的闪存制造工厂,这里是全球规模最大的半导体工厂之一,自创立以来一直从事半导体存储产品的生产,目前已建成Fab1至Fab6共六个制造车间,全球三成以上的闪存芯片从这里诞生。

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东芝的闪存制造车间分为上下两层结构,生产线融汇人工智能等技术,实现了高度自动化。

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闪存的生产在无尘环境当中进行,位于屋顶的自动化传送装置负责将闪存送往不同工序进行加工。

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晶圆首先进行加热,形成氧化膜。这层氧化膜在闪存单元中起到了隧道氧化层的作用,用于保持上方浮栅结构中电子,并允许在特定电压下电子能够从中穿透,从而完成闪存的数据读写功能。

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注入特殊气体形成多晶硅。多晶硅在闪存单元中起到浮栅结构的作用,其中可以储存电子并表达数据信息。

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通过光刻工艺制成精细的电路图形:

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去除已感光部分的光刻胶:

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使用等离子体腐蚀没有被光刻胶覆盖的部分:

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将离子注入经过腐蚀处理的部分,形成储存信息的存储单元:

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接下来在上面加入绝缘膜,制作线路层,然后经过化学机械研磨,磨平绝缘层上的凸起,然后进行接触孔蚀刻。

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热处理使部分金属蒸发,形成连接存储单元的线路:

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各工序通过自动传输带相连,在制造过程中晶圆一边移动一边接受各工序的加工:

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制造完成的晶圆经过各种检测之后进入封装工序,晶圆在这里首先被切割成芯片:

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此时的芯片还缺少外部引脚,需要将它封装到基板上。在机械手的工作下芯片被精准的固定在基板的指定位置:

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再通过引线键合技术使芯片与基板相连。引线键合是封装中的主要互联技术之一,像高科技缝纫机一样利用极细的线将芯片缝到基板之上。在大容量的闪存颗粒当中,东芝还会使用更高端的TSV硅通孔技术完成多层芯片的高级封装。

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接着用树脂封装位于基板上的芯片:我们平时看到的闪存颗粒黑色外观就源自封装所用的树脂材料。

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在通过了极端温度、极端电压等重重检测之后,性能与质量达到要求的产品才会被打上东芝存储器的商标并出货,即东芝原厂闪存。

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1987年,东芝发明NAND闪存,从而开启了一个全新的时代,几乎每一台智能数码产品都包含有记忆信息的闪存元件。东芝于1991年量产闪存,2007年宣布世界上首个3D闪存技术,始终推动信息化社会迭代,影响了全球每一个人的生活。今年东芝宣布搭载QLC技术的BiCS4(96层堆叠)闪存,单颗就能实现1.33TB的存储容量,使得每个消费者都有机会用上容量更大、价格更便宜的固态硬盘。

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